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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3506，"22+"：2073}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS7D3N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：16A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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类型：N沟道
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连续漏极电流：17A€52A
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连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMYS8D0N04CTWG
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栅极电荷：10nC@10V
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连续漏极电流：16A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMYS8D0N04CTWG
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阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
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连续漏极电流：16A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS8D0N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：16A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS7D3N04CLTWG
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
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功率：3.8W€38W
阈值电压：2V@30µA
连续漏极电流：17A€52A
栅极电荷：1.8nC@10V
ECCN：EAR99
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS7D3N04CLTWG
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
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栅极电荷：1.8nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS7D3N04CLTWG
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
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栅极电荷：1.8nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS7D3N04CLTWG
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
阈值电压：2V@30µA
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栅极电荷：1.8nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS8D0N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：16A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3506，"22+"：2073}
销售单位：个
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS8D0N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
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栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：16A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS8D0N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
阈值电压：3.5V@30µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：16A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS7D3N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
阈值电压：2V@30µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
