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    品牌: ON SEMI
    功率: 4.4W€237.5W
    当前匹配商品:20+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2637}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订300个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2637}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订2000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订300个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2637}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订142个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    栅极电荷:121nC@10V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    栅极电荷:121nC@10V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    栅极电荷:121nC@10V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订142个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2637}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

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    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订4000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订6000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

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    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVBLS1D7N08H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBLS1D7N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.4W€237.5W

    阈值电压:4V@479µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7675pF@40V

    连续漏极电流:33A€241.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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