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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：92500，"17+"：12}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B05NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：92500，"17+"：12}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B05NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NTMFS6B05NT1G
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功率：3.3W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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功率：3.3W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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阈值电压：4V@250µA
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输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
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