采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：1425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6600N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€56.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@6A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6600N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€56.6W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@6A，5V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD6600N-1G
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阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@6A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€56.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@6A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：1.28W€56.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@6A，5V
漏源电压：100V
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