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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS024N06CT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.4W€28W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：333pF@30V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS024N06CT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.4W€28W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：333pF@30V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：4V@20µA
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栅极电荷：5.7nC@10V
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输入电容：333pF@30V
连续漏极电流：8A€25A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：333pF@30V
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类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：333pF@30V
连续漏极电流：8A€25A
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导通电阻：22mΩ@3A，10V
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输入电容：333pF@30V
连续漏极电流：8A€25A
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漏源电压：60V
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漏源电压：60V
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栅极电荷：5.7nC@10V
导通电阻：22mΩ@3A，10V
连续漏极电流：8A€25A
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输入电容：333pF@30V
漏源电压：60V
功率：3.4W€28W
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