采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），54W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3885 pF @ 40 V
连续漏极电流：14A（Ta），48A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86240
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），40W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905 pF @ 75 V
连续漏极电流：4.6A（Ta），16A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：51 毫欧 @ 4.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86326
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035 pF @ 50 V
连续漏极电流：8A（Ta），37A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86326
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035 pF @ 50 V
连续漏极电流：8A（Ta），37A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：380，"21+"：2712，"22+"：21084，"24+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86246
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225 pF @ 75 V
连续漏极电流：1.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：261 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：42 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2365 pF @ 100 V
连续漏极电流：2.8A（Ta），14A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：122 毫欧 @ 2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86246
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225 pF @ 75 V
连续漏极电流：1.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：261 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86246
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225 pF @ 75 V
连续漏极电流：1.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：261 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86240
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），40W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：15 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905 pF @ 75 V
连续漏极电流：4.6A（Ta），16A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：51 毫欧 @ 4.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 7.6A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2365 pF @ 100 V
连续漏极电流：2.8A（Ta），14A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：122 毫欧 @ 2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），54W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3885 pF @ 40 V
连续漏极电流：14A（Ta），48A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86246
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：5 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225 pF @ 75 V
连续漏极电流：1.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：261 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86246
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：5 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225 pF @ 75 V
连续漏极电流：1.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：261 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86246
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225 pF @ 75 V
连续漏极电流：1.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：261 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN86246
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225 pF @ 75 V
连续漏极电流：1.6A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：261 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2734
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：45 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610 pF @ 100 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：117 毫欧 @ 3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
