品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86340
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.3W(Ta),54W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3885 pF @ 40 V
连续漏极电流:14A(Ta),48A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC604P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:1.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1926 pF @ 10 V
连续漏极电流:5.5A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:33 毫欧 @ 5.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850 pF @ 30 V
连续漏极电流:14A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.4 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190 pF @ 13 V
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800 pF @ 25 V
连续漏极电流:7.6A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:29 毫欧 @ 7.6A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86240
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.3W(Ta),40W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905 pF @ 75 V
连续漏极电流:4.6A(Ta),16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:51 毫欧 @ 4.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3835}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:13 毫欧 @ 10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86326
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035 pF @ 50 V
连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86106LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.2W(Ta)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315 pF @ 50 V
连续漏极电流:3.2A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2919}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC658P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750 pF @ 15 V
连续漏极电流:4A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86326
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),62W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035 pF @ 50 V
连续漏极电流:8A(Ta),37A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:23 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),27W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190 pF @ 13 V
连续漏极电流:15A(Ta),29A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:170 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11110 pF @ 20 V
连续漏极电流:36A(Ta),100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.1 毫欧 @ 32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":506,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6630A
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460 pF @ 15 V
连续漏极电流:6.5A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:38 毫欧 @ 6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8870
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":380,"21+":2712,"22+":21084,"24+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN86246
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225 pF @ 75 V
连续漏极电流:1.6A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:261 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),78W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:42 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2365 pF @ 100 V
连续漏极电流:2.8A(Ta),14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:122 毫欧 @ 2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86106LZ
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.2W(Ta)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315 pF @ 50 V
连续漏极电流:3.2A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:108 毫欧 @ 3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3580
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800 pF @ 25 V
连续漏极电流:7.6A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:29 毫欧 @ 7.6A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8447L
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),60W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:52 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620 pF @ 20 V
连续漏极电流:15A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.5 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4141
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.4W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775 pF @ 20 V
连续漏极电流:10.8A(Ta),50A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: