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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：21，"23+"：54720，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB20N60L2TF1G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：193ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：60ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：84nC
集电极电流(Ic)：1.65V@15V，20A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：11064}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：21，"23+"：54720，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB20N60L2TF1G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：193ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：60ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：84nC
集电极电流(Ic)：1.65V@15V，20A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：11064}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：38，"21+"：1252}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：21，"23+"：54720，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB20N60L2TF1G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：193ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：60ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：84nC
集电极电流(Ic)：1.65V@15V，20A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：21，"23+"：54720，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB20N60L2TF1G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：193ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：60ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：84nC
集电极电流(Ic)：1.65V@15V，20A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：2500，"24+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB03N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：12A
关断延迟时间：59ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：27µJ
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：17nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，3A
导通损耗：50µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB03N60R2DT4G
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：12A
关断延迟时间：59ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：27µJ
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：17nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，3A
导通损耗：50µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL070N10BG
工作温度：175℃
功率：2.1W€72W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@35A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB20N60L2TF1G
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：193ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：60ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：84nC
集电极电流(Ic)：1.65V@15V，20A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：2500，"24+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB03N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：12A
关断延迟时间：59ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：27µJ
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：17nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，3A
导通损耗：50µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：81，"17+"：1071，"MI+"：1682}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL070N10BG
工作温度：175℃
功率：2.1W€72W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@35A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：21，"23+"：54720，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB20N60L2TF1G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：193ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：60ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：84nC
集电极电流(Ic)：1.65V@15V，20A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：11064}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：100，"21+"：673}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB15N60R2FG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：190ns
反向恢复时间：95ns
关断损耗：220µJ
开启延迟时间：70ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：80nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，15A
导通损耗：550µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：81，"17+"：1071，"MI+"：1682}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL070N10BG
工作温度：175℃
功率：2.1W€72W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@35A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL070N10BG
工作温度：175℃
功率：2.1W€72W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@35A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：125}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL180N10BG
工作温度：175℃
功率：2.1W€200W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6950pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@15V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB20N60L2TF1G
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：193ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：60ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：84nC
集电极电流(Ic)：1.65V@15V，20A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB20N60L2TF1G
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：193ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：60ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：84nC
集电极电流(Ic)：1.65V@15V，20A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB15N60R2FG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断延迟时间：190ns
反向恢复时间：95ns
关断损耗：220µJ
开启延迟时间：70ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：80nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，15A
导通损耗：550µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB03N60R2DT4G
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：12A
关断延迟时间：59ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：27µJ
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：17nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，3A
导通损耗：50µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
