采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：11064}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：11064}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：38，"21+"：1252}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：2500，"24+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB03N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：12A
关断延迟时间：59ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：27µJ
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：17nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，3A
导通损耗：50µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB03N60R2DT4G
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：12A
关断延迟时间：59ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：27µJ
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：17nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，3A
导通损耗：50µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：2500，"24+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB03N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：12A
关断延迟时间：59ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：27µJ
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：17nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，3A
导通损耗：50µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：11064}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB03N60R2DT4G
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：12A
关断延迟时间：59ns
反向恢复时间：65ns
关断损耗：27µJ
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：17nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，3A
导通损耗：50µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：{"15+"：38，"21+"：1252}
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
关断延迟时间：120ns
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
ECCN：EAR99
工作温度：175℃
导通损耗：412µJ
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：53nC
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极脉冲电流(Icm)：40A
反向恢复时间：90ns
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：38，"21+"：1252}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：38，"21+"：1252}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
