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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVC3S5A51PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：262pF@20V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2292，"18+"：32950，"19+"：2}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVC6S5A354PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
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类型：P沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A160PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
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栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：15A€100A
类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
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输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A160PLZT1G
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类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
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类型：P沟道
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漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
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类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
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栅极电荷：136nC@10V
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输入电容：7400pF@20V
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类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
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类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A160PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
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连续漏极电流：15A€100A
类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A160PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：15A€100A
类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A160PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：15A€100A
类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2292，"18+"：32950，"19+"：2}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVC6S5A354PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A160PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
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类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：250nC@10V
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连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
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类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVC3S5A51PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：262pF@20V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A160PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
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栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：15A€100A
类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVC3S5A51PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：262pF@20V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"17+"：2292，"18+"：32950，"19+"：2}
规格型号(MPN)：NVC6S5A354PLZT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：600pF@20V
漏源电压：60V
导通电阻：100mΩ@2A，10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
功率：1.9W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A160PLZWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：15A€100A
类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：5000，"24+"：5000}
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
输入电容：7400pF@20V
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
连续漏极电流：20A€140A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A160PLZT1G
连续漏极电流：15A€100A
包装方式：卷带（TR）
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：7700pF@20V
类型：P沟道
栅极电荷：160nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
