采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS6H854NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€54W
阈值电压：2V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902pF@40V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：13.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1678}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD26AN06A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：7A€36A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：2V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：906pF@40V
连续漏极电流：11A€42A
类型：N沟道
导通电阻：13.1mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C648NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€76W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：22A€91A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS022N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€71.4W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@75V
连续漏极电流：7.4A€37.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS6H854NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€54W
阈值电压：2V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902pF@40V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：13.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：2V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：906pF@40V
连续漏极电流：11A€42A
类型：N沟道
导通电阻：13.1mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C648NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€76W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：22A€91A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS6H854NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€54W
阈值电压：2V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902pF@40V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：13.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS6H854NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€54W
阈值电压：2V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902pF@40V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：13.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS022N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€71.4W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@75V
连续漏极电流：7.4A€37.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€54W
阈值电压：2V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902pF@40V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：13.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C648NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€76W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：22A€91A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C648NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€76W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：22A€91A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C648NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€76W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：22A€91A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：2V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：906pF@40V
连续漏极电流：11A€42A
类型：N沟道
导通电阻：13.1mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1678}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD26AN06A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：7A€36A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€54W
阈值电压：2V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902pF@40V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：13.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€54W
阈值电压：2V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902pF@40V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：13.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C648NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€76W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：22A€91A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS6H854NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€54W
阈值电压：2V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902pF@40V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：13.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS022N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€71.4W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@75V
连续漏极电流：7.4A€37.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS022N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€71.4W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@75V
连续漏极电流：7.4A€37.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1678}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD26AN06A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：7A€36A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS022N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€71.4W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@75V
连续漏极电流：7.4A€37.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS022N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€71.4W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@75V
连续漏极电流：7.4A€37.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS022N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€71.4W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@75V
连续漏极电流：7.4A€37.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS6H854NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€54W
阈值电压：2V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902pF@40V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：13.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS022N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€71.4W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@75V
连续漏极电流：7.4A€37.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€54W
阈值电压：2V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：902pF@40V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：13.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
