品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":665,"19+":926,"MI+":615}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€35W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2475pF@50V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL080N120SC1A
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:4.3V@5mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":31714,"MI+":7000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5426NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€35W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2475pF@50V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP100N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:208W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7300pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP5800
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9160pF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:510W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL025N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
阈值电压:4.3V@15.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@18V
包装方式:管件
输入电容:3480pF@325V
连续漏极电流:99A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@45A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2552
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:5A€37A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:348W
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL080N120SC1A
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:4.3V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75645P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:238nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3790pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":44600,"07+":75,"08+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD70N03R
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:10A€32A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":265,"10+":63975}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4815NH-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.26W€32.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:845pF@12V
连续漏极电流:6.9A€35A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP50N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2020pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":3175}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD32N06-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€93.75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1725pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639G3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":7810}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6412ANG
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:18.2mΩ@58A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":568}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D9N12C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€333W
阈值电压:4V@686µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8894pF@60V
连续漏极电流:18A€210A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":19425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N02R-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.25W€58W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1330pF@20V
连续漏极电流:8.5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15265pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":40}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:510W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4790}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2572
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:4A€29A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639G3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L022N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:352W
阈值电压:4.4V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@18V
包装方式:管件
输入电容:3175pF@800V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@40A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL080N120SC1A
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:4.3V@5mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: