采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@25V
连续漏极电流：35A€230A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€125W
阈值电压：2.2V@98µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2546pF@25V
连续漏极电流：21A€111A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：2V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C680NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C670NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€61W
阈值电压：4V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@30V
连续漏极电流：17A€71A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：31714，"MI+"：7000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5426NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5800pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP5800
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9160pF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C674NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€37W
阈值电压：2.2V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：11A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C628NLT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€110W
阈值电压：2V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：28A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS4D1N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5849，"23+"：3550}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€37W
阈值电压：2V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：12A€36A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C673NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C680NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G-UIL3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP50N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：3175}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD32N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€93.75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：8177}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D2N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：2V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4850pF@25V
连续漏极电流：31A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5867NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9948
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：394pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：250mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
