品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4.3V@5mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1154pF@800V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4.3V@5mA
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连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG080N120SC1
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类型:N沟道
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漏源电压:1200V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF47P06
工作温度:-55℃~175℃
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG080N120SC1
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
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功率:179W
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
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工作温度:-55℃~175℃
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF47P06
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":32866}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS9511L-F085
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漏源电压:40V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG080N120SC1
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功率:179W
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连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4.3V@5mA
栅极电荷:56nC@20V
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连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP30N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
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栅极电荷:25nC@10V
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连续漏极电流:30A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS9511L-F085
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功率:68.2W
阈值电压:3V@250µA
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS9511L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:68.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
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类型:P沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4.3V@5mA
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4.3V@5mA
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4.3V@5mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1154pF@800V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP30N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
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栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":32866}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS9511L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:68.2W
阈值电压:3V@250µA
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栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:20.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86381-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
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连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4.3V@5mA
栅极电荷:56nC@20V
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输入电容:1154pF@800V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF47P06
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4.3V@5mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1154pF@800V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF47P06
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4.3V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1154pF@800V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4.3V@5mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1154pF@800V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":32866}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS9511L-F085
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功率:68.2W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:20.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4.3V@5mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1154pF@800V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: