品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":100,"22+":2084850}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:224.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18500pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":100,"22+":2084850}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:224.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18500pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":100,"22+":2084850}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:224.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18500pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":100,"22+":2084850}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:224.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18500pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75321P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:93W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@20V
包装方式:管件
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@35A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8778
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8796
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:224.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18500pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6500,"MI+":9210}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8778
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":100,"22+":2084850}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:224.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18500pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":518,"23+":33}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75321P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:93W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@20V
包装方式:管件
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@35A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6500,"MI+":9210}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8778
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75321P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:93W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@20V
包装方式:管件
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@35A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8796
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8796
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@330µA
栅极电荷:224.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18500pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@330µA
栅极电荷:224.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18500pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8778
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF70N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@17.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8796
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2610pF@13V
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
功率:88W
连续漏极电流:35A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":518,"23+":33}
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):HUF75321P3
输入电容:680pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@35A,10V
功率:93W
栅极电荷:44nC@20V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
漏源电压:55V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:35A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:224.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18500pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8782
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75321P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:93W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@20V
包装方式:管件
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@35A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8782
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:224.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18500pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8782
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@330µA
栅极电荷:224.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18500pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8782
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:224.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18500pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: