品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":42200}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:528pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":235,"23+":1866}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1686pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":235,"23+":1866}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:528pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":42200}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:528pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:528pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1686pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1686pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":32300}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1969}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1686pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4480
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1686pF@20V
连续漏极电流:10.8A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:528pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9400A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: