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    功率
    83W
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    漏源电压
    连续漏极电流
    品牌: ON SEMI
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 汽车
    功率: 83W
    当前匹配商品:50+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415AN-1G 起订682个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415AN-1G 起订682个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415AN-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@23A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订385个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订385个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"MI+":4940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685-F085P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685-F085P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":523,"23+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"MI+":4940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685-F085P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"MI+":4940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685-F085P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685-F085P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订624个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订624个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6688 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6688 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6688

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3845pF@15V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6688 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6688 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6688

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3845pF@15V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD6688 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6688 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6688

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3845pF@15V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    类型:N沟道

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    类型:N沟道

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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