采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5126pF@40V
连续漏极电流：24A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：31A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€180W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：56A€368A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C453NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：23A€107A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€245W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：265nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16013pF@20V
连续漏极电流：78.9A€554.5A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C673NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：44600，"07+"：75，"08+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G-UIL3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C646NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2164pF@25V
连续漏极电流：20A€93A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：19425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N02R-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.25W€58W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：8.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€245W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：265nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16013pF@20V
连续漏极电流：78.9A€554.5A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：31A€150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C423NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF3055L108T3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5865NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€71W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A€46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C460NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：21A€78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS3D3N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€100W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：26A€133A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C670NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：16A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD3055L170T4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@4.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：3855，"05+"：168260，"06+"：527497，"08+"：7445，"09+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：20，"06+"：2175，"9999"：140，"MI+"：2206}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R-001
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：576，"21+"：4097，"22+"：5247}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5810-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@25V
连续漏极电流：7.4A€37A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C670NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：16A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7179}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D6N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
连续漏极电流：38A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.36mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
