采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBV5605T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@8.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBV5605T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@8.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15.5A
栅极电荷：26nC@5V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
功率：65W
输入电容：1190pF@25V
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
包装清单：商品主体 * 1
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