品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NWFET1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:53A€378A
类型:N沟道
导通电阻:0.70mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€273W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9281pF@25V
连续漏极电流:51A€430A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1532,"22+":1796,"23+":3287,"MI+":1938}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€159.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6985pF@25V
连续漏极电流:50A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.95mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C446NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€66W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:22A€105A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:53A€378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C442NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NWFET1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:53A€378A
类型:N沟道
导通电阻:0.70mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.9W€205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9230pF@25V
连续漏极电流:65A€420A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0105N407L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:291nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23100pF@20V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:53A€378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8444
工作温度:-55℃~175℃
功率:153W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6195pF@25V
连续漏极电流:145A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2400,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8443
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9310pF@25V
连续漏极电流:25A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":189381}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C404NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:53A€378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C464NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:16A€59A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C434NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:163A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.9W€205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9230pF@25V
连续漏极电流:65A€420A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":189381}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C404NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:53A€378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1825,"21+":5598,"22+":34608,"MI+":1237}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7735pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":189381}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C404NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:53A€378A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB9403-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:213nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12700pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1825,"21+":5598,"22+":34608,"MI+":1237}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7735pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: