采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB120N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5605pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0200N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9760pF@50V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB120N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5605pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0200N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9760pF@50V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB120N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5605pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86350ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8030pF@40V
连续漏极电流：25A€198A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86350ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8030pF@40V
连续漏极电流：25A€198A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB120N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5605pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：387，"23+"：5575}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：387，"23+"：5575}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1868}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86360-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14600pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0200N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9760pF@50V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0200N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9760pF@50V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1868}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1868}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：387，"23+"：5575}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550ET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8235pF@30V
连续漏极电流：32A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86350ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8030pF@40V
连续漏极电流：25A€198A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
