采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP027N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
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功率：246W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP027N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86350ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8030pF@40V
连续漏极电流：25A€198A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP039N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9450pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86350ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8030pF@40V
连续漏极电流：25A€198A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP027N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86360-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14600pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP053N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：146W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5960pF@40V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86350ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8030pF@40V
连续漏极电流：25A€198A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP027N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP053N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：146W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5960pF@40V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
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输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP053N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：146W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5960pF@40V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP027N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
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输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP027N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86350ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8030pF@40V
连续漏极电流：25A€198A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86350ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8030pF@40V
连续漏极电流：25A€198A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP039N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9450pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86350ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8030pF@40V
连续漏极电流：25A€198A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86350ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8030pF@40V
连续漏极电流：25A€198A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP053N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：146W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5960pF@40V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86360-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14600pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP027N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
