品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
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导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
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漏源电压:40V
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
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漏源电压:40V
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