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    品牌: ON SEMI
    工作温度: -55℃~175℃
    阈值电压: 2.5V@250µA
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:700+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858NT4G 起订971个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858NT4G 起订971个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2974,"10+":202,"12+":199,"13+":564,"14+":63445,"16+":7500,"18+":39000,"19+":22914,"21+":27500,"22+":3872}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4858NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€54.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1563pF@12V

    连续漏极电流:11.2A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3808NT4G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3808NT4G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":59025}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3808NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1660pF@12V

    连续漏极电流:12A€76A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5124PLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:12.6A€55A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810NT4G 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810NT4G 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2900,"13+":770}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4810NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@12V

    连续漏极电流:9A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NH-1G 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NH-1G 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":265,"10+":63975}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4815NH-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.26W€32.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:845pF@12V

    连续漏极电流:6.9A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD5867NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4865NT4G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4865NT4G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":22500,"11+":517500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4865NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€33.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:827pF@12V

    连续漏极电流:8.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4809NT4G 起订1283个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4809NT4G 起订1283个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":11480}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD4809NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@11.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1456pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5113PLWFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5113PLWFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5113PLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:10A€64A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N06CLTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N06CLTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€294.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16200pF@25V

    连续漏极电流:62.2A€477A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.68mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N04CLTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N04CLTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€205W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:205nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12238pF@25V

    连续漏极电流:67A€433A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.63mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4979N-35G 起订1086个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4979N-35G 起订1086个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":10875}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4979N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.38W€26.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:837pF@15V

    连续漏极电流:9.4A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5124PLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N04CLTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N04CLTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€205W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:205nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12238pF@25V

    连续漏极电流:67A€433A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.63mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4805NT4G 起订677个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4805NT4G 起订677个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":65000,"22+":180000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4805NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.41W€79W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@11.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2865pF@12V

    连续漏极电流:12.7A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NH-35G 起订1886个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NH-35G 起订1886个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":39440,"09+":57,"10+":24375}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4809NH-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2155pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G 起订902个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G 起订902个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2600,"10+":22000,"MI+":1060}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4860NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.28W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1308pF@12V

    连续漏极电流:10.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":300,"15+":25815}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4965N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.39W€38.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1710pF@15V

    连续漏极电流:13A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855N-35G 起订972个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855N-35G 起订972个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2925}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4855N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.35W€66.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32.7nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2950pF@12V

    连续漏极电流:14A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS0D7N06CLTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS0D7N06CLTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€294.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16200pF@25V

    连续漏极电流:62.2A€477A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.68mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-35G 起订329个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-35G 起订329个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":4950}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4854N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€93.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:4600pF@12V

    连续漏极电流:15.7A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4808NT4G 起订1759个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4808NT4G 起订1759个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":24748}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD4808NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€54.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1538pF@12V

    连续漏极电流:10A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3813N-35G 起订709个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3813N-35G 起订709个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":11550}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3813N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W€34.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:963pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€51A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.75mΩ@15A,10V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06L 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06L 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2150

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:630pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810N-1G 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810N-1G 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":6700,"08+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4810N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@12V

    连续漏极电流:9A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4804N-35G 起订713个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4804N-35G 起订713个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":150,"10+":39754,"11+":3975}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4804N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:4490pF@12V

    连续漏极电流:14.5A€124A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP8870 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP8870 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP8870

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:132nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:19A€156A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NA-35G 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NA-35G 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":1415,"09+":1425}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4809NA-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1456pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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