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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3506，"22+"：2073}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS7D3N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H858NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：623pF@40V
连续漏极电流：8.7A€30A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS7D3N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS7D3N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS7D3N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS7D3N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H858NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：623pF@40V
连续漏极电流：8.7A€30A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NVMFS6H858NLT1G
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功率：3.5W€42W
阈值电压：2V@30µA
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栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：623pF@40V
连续漏极电流：8.7A€30A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS6H858NLT1G
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功率：3.5W€42W
阈值电压：2V@30µA
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栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：623pF@40V
连续漏极电流：8.7A€30A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NVMFS6H858NLT1G
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功率：3.5W€42W
阈值电压：2V@30µA
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栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：623pF@40V
连续漏极电流：8.7A€30A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS7D3N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS7D3N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H858NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：623pF@40V
连续漏极电流：8.7A€30A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS7D3N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€38W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H860NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
