品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C632NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€115W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:29A€155A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A€48A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C632NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€115W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:29A€155A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C632NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€115W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:29A€155A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NAT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.51W€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:16.4A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A€48A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A€48A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C632NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€115W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:29A€155A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NWFTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C632NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€115W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:29A€155A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: