品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C442NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C442NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":1000,"03+":1670,"04+":1567}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP22N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"02+":2400,"03+":800,"04+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB22N06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
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输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
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连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C442NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
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连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C442NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
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连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C442NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
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输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C442NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
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输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C442NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C442NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C442NAFT1G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:29A€140A
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:2100pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
功率:3.7W€83W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C442NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB22N06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"02+":2400,"03+":800,"04+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB22N06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":1000,"03+":1670,"04+":1567}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP22N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
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栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP22N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB22N06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: