采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP50N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA46N15
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3250pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP50N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP50N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：970，"21+"：26000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI50N06TU
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1540pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1103}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI50N06TU
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1540pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP50N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA46N15
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3250pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA46N15
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3250pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI50N06TU
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1540pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：970，"21+"：26000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI50N06TU
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1540pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP50N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP50N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP50N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP50N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP50N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA46N15
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3250pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：970，"21+"：26000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI50N06TU
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1540pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP50N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP50N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA46N15
栅极电荷：110nC@10V
功率：250W
类型：N沟道
漏源电压：150V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
导通电阻：42mΩ@25A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
输入电容：3250pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
导通电阻：15mΩ@50A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：21nC@10V
连续漏极电流：50A
输入电容：1440pF@50V
功率：91W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
