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    品牌: ON SEMI
    工作温度: -55℃~175℃
    漏源电压: 100V
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:900+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D6N10MCTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D6N10MCTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D6N10MCTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€291W

    阈值电压:4V@650µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7630pF@50V

    连续漏极电流:36A€273A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6413ANT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6413ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@42A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150ET100 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150ET100 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150ET100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€187W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4065pF@50V

    连续漏极电流:16A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150ET100 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150ET100 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150ET100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€187W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4065pF@50V

    连续漏极电流:16A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS040N10MCLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS040N10MCLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS040N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€36W

    阈值电压:3V@26µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@50V

    连续漏极电流:6.5A€21A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D6N10MCTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D6N10MCTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D6N10MCTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€291W

    阈值电压:4V@650µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7630pF@50V

    连续漏极电流:36A€273A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:6A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085 起订67个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085 起订67个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":388}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0240N100 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0240N100 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0240N100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8755pF@50V

    连续漏极电流:210A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS040N10MCLT1G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS040N10MCLT1G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS040N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€36W

    阈值电压:3V@26µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@50V

    连续漏极电流:6.5A€21A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0200N100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:429W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9760pF@50V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB8P10TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB8P10TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB8P10TM

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS002N10MCLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS002N10MCLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS002N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€189W

    阈值电压:3V@351µA

    栅极电荷:97nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7200pF@50V

    连续漏极电流:22A€175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0260N1007L 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0260N1007L 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0260N1007L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:118nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8545pF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@27A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3672-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3672-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3672-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:7.2A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0240N100 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0240N100 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0240N100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8755pF@50V

    连续漏极电流:210A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS015N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€79W

    阈值电压:2.2V@282µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1338pF@50V

    连续漏极电流:10.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3670 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3670 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3670

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2490pF@50V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@7.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86063 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86063 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86063

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5120pF@50V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANT4G 起订246个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANT4G 起订246个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2369}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75639S3ST 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75639S3ST 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75639S3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@56A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86160ET100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@50V

    连续漏极电流:9A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS7D8N10GTWG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS7D8N10GTWG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS7D8N10GTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€187W

    阈值电压:4V@254µA

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6180pF@50V

    连续漏极电流:14A€110A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:6A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86160ET100 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86160ET100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@50V

    连续漏极电流:9A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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