品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS1D6N10MCTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€291W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7630pF@50V
连续漏极电流:36A€273A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6413ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@42A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150ET100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4065pF@50V
连续漏极电流:16A€128A
类型:N沟道
导通电阻:4.85mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150ET100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4065pF@50V
连续漏极电流:16A€128A
类型:N沟道
导通电阻:4.85mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS040N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€36W
阈值电压:3V@26µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@50V
连续漏极电流:6.5A€21A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS1D6N10MCTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€291W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7630pF@50V
连续漏极电流:36A€273A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3682
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:6A€32A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":388}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS040N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€36W
阈值电压:3V@26µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@50V
连续漏极电流:6.5A€21A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB8P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€65W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:530mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS002N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€189W
阈值电压:3V@351µA
栅极电荷:97nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@50V
连续漏极电流:22A€175A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0260N1007L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8545pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@27A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3672-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:7.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS015N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€79W
阈值电压:2.2V@282µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1338pF@50V
连续漏极电流:10.5A€54A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3670
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2490pF@50V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@7.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86063
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5120pF@50V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2369}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6412ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:18.2mΩ@58A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86160ET100
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@50V
连续漏极电流:9A€43A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS7D8N10GTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€187W
阈值电压:4V@254µA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6180pF@50V
连续漏极电流:14A€110A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3682
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:6A€32A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86160ET100
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@50V
连续漏极电流:9A€43A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: