品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:169nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86367-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4840pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":85,"20+":1350,"23+":3454}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0330N80
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H801NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4120pF@40V
连续漏极电流:23A€157A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3890
工作温度:-55℃~175℃
功率:900mW
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
连续漏极电流:4.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:44mΩ@4.7A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H801NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4120pF@40V
连续漏极电流:23A€157A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0165N807L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:304nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23660pF@40V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75542P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:180nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3890
工作温度:-55℃~175℃
功率:900mW
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
连续漏极电流:4.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:44mΩ@4.7A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":985,"23+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0330N80
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:169nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:169nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8000,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0210N80
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:169nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86340ET80
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775pF@40V
连续漏极电流:14A€68A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@14A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0165N807L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:304nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23660pF@40V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86366-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@40V
连续漏极电流:220A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0165N807L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:304nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23660pF@40V
连续漏极电流:310A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:169nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: