采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H846NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@21µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@40V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H846NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@21µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@40V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD6H846NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@21µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@40V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD6H846NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@21µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@40V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H846NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@21µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@40V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H846NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@21µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@40V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H840NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@96µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2002pF@40V
连续漏极电流：14A€74A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：954}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD6H846NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@21µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@40V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
