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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
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包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
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输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
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输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
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输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
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输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@14A，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
