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    品牌: ON SEMI
    工作温度: -55℃~175℃
    连续漏极电流: 18A
    包装方式: 管件
    当前匹配商品:7
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    onsemi Mosfet场效应管 NTD18N06-1G 起订2466个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD18N06-1G 起订2466个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":2765}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD18N06-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€55W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD18N06-1G 起订2466个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD18N06-1G 起订2466个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD18N06-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF33N10 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF33N10 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF33N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD18N06-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD18N06-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD18N06-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF33N10 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF33N10 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF33N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD18N06-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD18N06-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":2765}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD18N06-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€55W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD18N06-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD18N06-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):NTD18N06-1G

    连续漏极电流:18A

    导通电阻:60mΩ@9A,10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:710pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€55W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

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