品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75329D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75321D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:93W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2104
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":1851}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06L-001
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:管件
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":620,"21+":186,"22+":4476}
销售单位:个
规格型号(MPN):HUFA76429D3ST-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:21+
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2104
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75321D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:93W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75329D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75329D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:21+
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS9420-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75321D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:93W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75321D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:93W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06L-001
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:管件
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS9420-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75321D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:93W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75329D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: