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    品牌: ON SEMI
    工作温度: -55℃~175℃
    类型: P沟道
    当前匹配商品:900+
    商品信息
    参数
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS014P04M8LTAG 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS014P04M8LTAG 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS014P04M8LTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€61W

    阈值电压:2.4V@420µA

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1734pF@20V

    连续漏极电流:11.3A€49A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5124PLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS014P04M8LT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS014P04M8LT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS014P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€60W

    阈值电压:2.4V@420µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1734pF@20V

    连续漏极电流:12.5A€52.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9407 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9407 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS9407

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:732pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5116PLWFTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5116PLWFTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5116PLWFTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€21W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS9D6P04M8LTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS9D6P04M8LTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€75W

    阈值电压:2.4V@580µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2312pF@20V

    连续漏极电流:13A€64A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5113PLWFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5113PLWFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5113PLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:10A€64A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9510L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2020pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB8P10TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB8P10TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB8P10TM

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:530mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVC3S5A51PLZT1G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVC3S5A51PLZT1G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVC3S5A51PLZT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2.6V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:262pF@20V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS025P04M8LT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS025P04M8LT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€44.1W

    阈值电压:2.4V@255µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1058pF@20V

    连续漏极电流:9.4A€34.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5124PLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订1411个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订1411个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":42200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9435A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVC6S5A354PLZT1G 起订1625个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVC6S5A354PLZT1G 起订1625个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2292,"18+":32950,"19+":2}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVC6S5A354PLZT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订213个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订213个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":235,"23+":1866}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS9D6P04M8LTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS9D6P04M8LTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€75W

    阈值电压:2.4V@580µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2312pF@20V

    连续漏极电流:13A€64A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS014P04M8LTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS014P04M8LTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTYS014P04M8LTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€88W

    阈值电压:3V@420µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16900pF@25V

    连续漏极电流:10.4A€53A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFWS014P04M8LT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFWS014P04M8LT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFWS014P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€60W

    阈值电压:2.4V@420µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1734pF@20V

    连续漏极电流:12.5A€52.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFWS014P04M8LT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFWS014P04M8LT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFWS014P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€60W

    阈值电压:2.4V@420µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1734pF@20V

    连续漏极电流:12.5A€52.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP2955G 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP2955G 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP2955G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€62.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:196mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS025P04M8LT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS025P04M8LT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€44.1W

    阈值电压:2.4V@255µA

    栅极电荷:16.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1058pF@20V

    连续漏极电流:9.4A€34.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€160W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订1600个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订1600个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFWS014P04M8LT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFWS014P04M8LT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFWS014P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€60W

    阈值电压:2.4V@420µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1734pF@20V

    连续漏极电流:12.5A€52.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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