采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：14pF@15V
功率：225mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：500mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5468，"21+"：66398}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTND31015NZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.3pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT250N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6420C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：324pF@10V
连续漏极电流：3A€2.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：70mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：125Ω
类型：P通道
ECCN：EAR99
输入电容：11pF@10V
功率：225mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：3V@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：7mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVA4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：238mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD600N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4.5V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB2308PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3030pF@10V
类型：2P沟道（双）共漏
导通电阻：36mΩ@5.7A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：42，"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4405NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：25455，"20+"：1633，"23+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：5pF@10V
功率：225mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：2.5V@1nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：24mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0250N807L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15400pF@40V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0310AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280pF@15V
连续漏极电流：19A€22A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC5018SG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：17A€32A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5mΩ@17A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU600N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4.5V@600µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：465pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86152
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3370pF@50V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS037N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW€104.2W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5915pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP190N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3225pF@25V
连续漏极电流：20.6A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D2N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€300W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：41A€335A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86320
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@40V
连续漏极电流：10.5A€22A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@10.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3662
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@50V
连续漏极电流：8.9A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@8.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：80Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：16pF@20V
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：1V@1nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：7085，"09+"：2310，"10+"：2500，"11+"：31427}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4884NFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2P40TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.56A
类型：P沟道
导通电阻：6.5Ω@780mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
