采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685
功率：69W
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：27nC@5V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：8.4A€32A
输入电容：2380pF@20V
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：1.5A
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：250pF@24V
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.1W€31W
栅极电荷：26nC@10V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
输入电容：1230pF@15V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7696
功率：2.4W€25W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：1430pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
栅极电荷：22nC@10V
连续漏极电流：12A€20A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：520pF@15V
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
连续漏极电流：4.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L-L701
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.3W€24W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
输入电容：945pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：5158，"23+"：18000}
规格型号(MPN)：FDMC8321LDC
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：2.9W€56W
类型：N沟道
连续漏极电流：27A€108A
输入电容：3965pF@20V
导通电阻：2.5mΩ@27A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
输入电容：200pF@15V
栅极电荷：10nC@10V
类型：P沟道
连续漏极电流：1.13A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8015L
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：7A€18A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
栅极电荷：19nC@10V
功率：2.3W€24W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
输入电容：945pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570L
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
连续漏极电流：18A€56A
漏源电压：60V
栅极电荷：88nC@10V
功率：2.3W€54W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
输入电容：6705pF@30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
栅极电荷：124nC@10V
功率：2.5W
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4840NTAG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW€27.8W
类型：N沟道
输入电容：580pF@15V
导通电阻：24mΩ@20A，10V
栅极电荷：10.8nC@10V
连续漏极电流：4.6A€26A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
类型：P沟道
栅极电荷：5.6nC@10V
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8013S
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：6.4mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
连续漏极电流：13A€26A
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
功率：800mW€900mW
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
输入电容：827pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：16159}
规格型号(MPN)：NTMS4816NR2G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9A，10V
功率：780mW
栅极电荷：18.3nC@10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7200S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
功率：700mW€1W
ECCN：EAR99
输入电容：660pF@15V
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：22mΩ@6A，10V
连续漏极电流：7A€13A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6675BZ
输入电容：2470pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：13mΩ@11A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
栅极电荷：62nC@10V
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7602S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：12A€17A
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
阈值电压：3V@250µA
输入电容：1750pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6333C
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：95mΩ@2.5A，10V
类型：N和P沟道
连续漏极电流：2.5A€2A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2295pF@30V
类型：4N沟道（全桥）
漏源电压：60V
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
连续漏极电流：8A
功率：1.9W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.6A
功率：630mW
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
类型：P沟道
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：750pF@15V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：1.5A
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：250pF@24V
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7660
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：5565pF@15V
连续漏极电流：25A€42A
功率：2.5W€78W
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
栅极电荷：84nC@10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8560L
输入电容：11130pF@30V
导通电阻：3.2mΩ@22A，10V
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：22A€93A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS17D0P03P8ZTAG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1600pF@15V
栅极电荷：38nC@10V
功率：860mW
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@10A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
栅极电荷：124nC@10V
功率：2.5W
ECCN：EAR99
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：30nC@5V
输入电容：2220pF@15V
类型：N沟道
连续漏极电流：13A
导通电阻：8mΩ@13A，10V
功率：2.5W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7696
功率：2.4W€25W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：1430pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
栅极电荷：22nC@10V
连续漏极电流：12A€20A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6670A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：30nC@5V
输入电容：2220pF@15V
类型：N沟道
连续漏极电流：13A
导通电阻：8mΩ@13A，10V
功率：2.5W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
