品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4706NR2G
导通电阻:12mΩ@10.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:830mW
栅极电荷:15nC@4.5V
连续漏极电流:6.4A
输入电容:950pF@24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":127500}
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
栅极电荷:30nC@10V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
输入电容:950pF@24V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8820
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:28A€116A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:5315pF@15V
栅极电荷:88nC@10V
导通电阻:2mΩ@28A,10V
功率:2.5W€78W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:280mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
功率:250mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":14828}
规格型号(MPN):NTMFS4854NST3G
输入电容:4830pF@12V
包装方式:卷带(TR)
功率:900mW€86.2W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:85nC@11.5V
漏源电压:25V
连续漏极电流:15.2A€149A
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8882
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:945pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:10.5A€16A
功率:2.3W€18W
导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
栅极电荷:20nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":4170,"09+":9000,"10+":2523,"11+":28490,"14+":4450,"15+":1500}
规格型号(MPN):NTMFS4846NT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@12V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:53nC@11.5V
连续漏极电流:12.7A€100A
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
功率:890mW€55.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":1193,"13+":300,"15+":843,"18+":2500}
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
输入电容:1376pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:7.8A
导通电阻:9mΩ@12A,10V
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
功率:890mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:7.8A
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
输入电容:970pF@24V
栅极电荷:15nC@4.5V
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002ET1G
输入电容:26.7pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
栅极电荷:0.81nC@5V
功率:300mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN352AP
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
导通电阻:180mΩ@1.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002LT1G
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:225mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002LT7G
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:225mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4835NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:52nC@11.5V
连续漏极电流:13A€130A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:890mW€62.5W
导通电阻:3.5mΩ@30A,10V
输入电容:3100pF@12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:20A€40A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:4830pF@15V
功率:2.3W€41W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4847NT1G
输入电容:2614pF@12V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:880mW€48.4W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.1mΩ@30A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:11.5A€85A
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":59610,"07+":207000,"08+":1500}
规格型号(MPN):NTMFS4839NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:18nC@4.5V
输入电容:1588pF@12V
连续漏极电流:9.5A€64A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:870mW€41.7W
ECCN:EAR99
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT3G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:900mW
导通电阻:155mΩ@1A,10V
输入电容:182pF@25V
栅极电荷:5.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN352AP
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
导通电阻:180mΩ@1.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:900mW
导通电阻:155mΩ@1A,10V
输入电容:182pF@25V
栅极电荷:5.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:250mW
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002LT3G
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:225mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002LT7G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:115mA
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002ET1G
输入电容:26.7pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
栅极电荷:0.81nC@5V
功率:300mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:250mW
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2V7002LT1G
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:225mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":4433,"07+":49500,"08+":1500,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:7.8A
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
输入电容:970pF@24V
栅极电荷:15nC@4.5V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7001C
输入电容:20pF@25V€66pF@25V
导通电阻:2Ω@510mA,10V
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:510mA€340mA
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6692A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@9A,10V
连续漏极电流:9A
功率:1.47W
输入电容:1610pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存: