品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1600pF@15V
栅极电荷:38nC@10V
功率:860mW
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF5P03T3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
功率:1.56W
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
导通电阻:100mΩ@5.2A,10V
输入电容:950pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF5P03T3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
功率:1.56W
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
导通电阻:100mΩ@5.2A,10V
输入电容:950pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQI7N60TU
连续漏极电流:7.4A
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:1430pF@25V
漏源电压:600V
功率:3.13W€142W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF5P03T3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
功率:1.56W
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
导通电阻:100mΩ@5.2A,10V
输入电容:950pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB7N60TM
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
输入电容:1430pF@25V
漏源电压:600V
功率:3.13W€142W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1600pF@15V
栅极电荷:38nC@10V
功率:860mW
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF5P03T3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
功率:1.56W
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
导通电阻:100mΩ@5.2A,10V
输入电容:950pF@25V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":18000}
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
类型:N沟道
漏源电压:25V
连续漏极电流:20A€152A
阈值电压:2V@700µA
输入电容:3159pF@13V
功率:800mW€48W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF5P03T3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
功率:1.56W
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
导通电阻:100mΩ@5.2A,10V
输入电容:950pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":18000}
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
类型:N沟道
漏源电压:25V
连续漏极电流:20A€152A
阈值电压:2V@700µA
输入电容:3159pF@13V
功率:800mW€48W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
类型:N沟道
漏源电压:25V
连续漏极电流:20A€152A
阈值电压:2V@700µA
输入电容:3159pF@13V
功率:800mW€48W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
类型:N沟道
漏源电压:25V
连续漏极电流:20A€152A
阈值电压:2V@700µA
输入电容:3159pF@13V
功率:800mW€48W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB7N60TM
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
输入电容:1430pF@25V
漏源电压:600V
功率:3.13W€142W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
生产批次:1952
规格型号(MPN):FQB9P25TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
导通电阻:620mΩ@4.7A,10V
漏源电压:250V
类型:P沟道
连续漏极电流:9.4A
输入电容:1180pF@25V
功率:3.13W€120W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1600pF@15V
栅极电荷:38nC@10V
功率:860mW
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€48W
阈值电压:2V@700µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3159pF@13V
连续漏极电流:20A€152A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF5P03T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@5.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF5P03T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@5.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF5P03T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@5.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D8N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€48W
阈值电压:2V@700µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3159pF@13V
连续漏极电流:20A€152A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF5P03T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@5.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF5P03T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@5.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQI7N60TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€142W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: