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    品牌: ON SEMI
    工作温度: -55℃~150℃
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    当前匹配商品:1600+
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    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订12000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:1639

    规格型号(MPN):MMBF170

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:500mA

    输入电容:40pF@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    漏源电压:60V

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    功率:300mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    连续漏极电流:20A€50A

    输入电容:6435pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:2.5W€96W

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS3D7N06HLTWG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS3D7N06HLTWG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS3D7N06HLTWG

    输入电容:2383pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@120µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A€103A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:32.7nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86550

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    连续漏极电流:32A€155A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    导通电阻:1.65mΩ@32A,10V

    栅极电荷:154nC@10V

    输入电容:11530pF@30V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:280mA

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    输入电容:50pF@25V

    功率:250mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86570L 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86570L 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86570L

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@18A,10V

    连续漏极电流:18A€56A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:88nC@10V

    功率:2.3W€54W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:6705pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:500mA

    输入电容:40pF@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    漏源电压:60V

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    功率:300mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:945pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:22.7A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000-D26Z 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000-D26Z 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000-D26Z

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    漏源电压:60V

    输入电容:50pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000 起订47000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000 起订47000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000

    功率:400mW

    连续漏极电流:200mA

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    漏源电压:60V

    输入电容:50pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002ET1G 起订26个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002ET1G 起订26个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002ET1G

    输入电容:26.7pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:260mA

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    导通电阻:2.5Ω@240mA,10V

    栅极电荷:0.81nC@5V

    功率:300mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMQ86530L 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMQ86530L 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMQ86530L

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2295pF@30V

    类型:4N沟道(全桥)

    漏源电压:60V

    导通电阻:17.5mΩ@8A,10V

    连续漏极电流:8A

    功率:1.9W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002LT1G 起订96个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002LT1G 起订96个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002LT1G

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:115mA

    功率:225mW

    输入电容:50pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H610NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H610NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H610NLT1G

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:13.7nC@10V

    导通电阻:10mΩ@8A,10V

    阈值电压:2V@40µA

    功率:3W€43W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002LT7G 起订151个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002LT7G 起订151个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002LT7G

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:115mA

    功率:225mW

    输入电容:50pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BS170-D75Z 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 BS170-D75Z 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170-D75Z

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    连续漏极电流:500mA

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:40pF@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8560L 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8560L 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8560L

    输入电容:11130pF@30V

    导通电阻:3.2mΩ@22A,10V

    功率:2.2W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:22A€93A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000

    功率:400mW

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    漏源电压:60V

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000-D75Z 起订1599个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000-D75Z 起订1599个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2209}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000-D75Z

    功率:400mW

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    漏源电压:60V

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    包装方式:剪切带(CT)

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000

    功率:400mW

    连续漏极电流:200mA

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    漏源电压:60V

    输入电容:50pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT3G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT3G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:900mW

    导通电阻:155mΩ@1A,10V

    输入电容:182pF@25V

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:10nC@10V

    功率:500mW

    输入电容:400pF@15V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5690

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    导通电阻:27mΩ@9A,10V

    栅极电荷:32nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:3.2W€50W

    连续漏极电流:30A

    输入电容:1110pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86540

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:6410pF@30V

    导通电阻:4.5mΩ@18A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8560L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8560L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8560L

    功率:2.2W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:60V

    输入电容:11130pF@30V

    导通电阻:3.2mΩ@22A,10V

    连续漏极电流:22A€93A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G

    功率:250mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170LT1G 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170LT1G 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170LT1G

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    漏源电压:60V

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    ECCN:EAR99

    功率:225mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5661N

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:19nC@10V

    导通电阻:47mΩ@4.3A,10V

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 2N7002DW 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002DW 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:115mA

    功率:200mW

    输入电容:50pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86550

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    连续漏极电流:32A€155A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    导通电阻:1.65mΩ@32A,10V

    栅极电荷:154nC@10V

    输入电容:11530pF@30V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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