品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1639
规格型号(MPN):MMBF170
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
导通电阻:5Ω@200mA,10V
功率:300mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
连续漏极电流:20A€50A
输入电容:6435pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:2.5W€96W
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS3D7N06HLTWG
输入电容:2383pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@120µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A€103A
漏源电压:60V
栅极电荷:32.7nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
连续漏极电流:32A€155A
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
栅极电荷:154nC@10V
输入电容:11530pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:280mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
功率:250mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
连续漏极电流:18A€56A
漏源电压:60V
栅极电荷:88nC@10V
功率:2.3W€54W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:6705pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
导通电阻:5Ω@200mA,10V
功率:300mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:945pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:25nC@10V
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:22.7A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
功率:400mW
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002ET1G
输入电容:26.7pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
栅极电荷:0.81nC@5V
功率:300mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ86530L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2295pF@30V
类型:4N沟道(全桥)
漏源电压:60V
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
连续漏极电流:8A
功率:1.9W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002LT1G
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:225mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H610NLT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:13.7nC@10V
导通电阻:10mΩ@8A,10V
阈值电压:2V@40µA
功率:3W€43W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002LT7G
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:225mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170-D75Z
导通电阻:5Ω@200mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
连续漏极电流:500mA
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
输入电容:11130pF@30V
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:22A€93A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
功率:400mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2209}
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D75Z
功率:400mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
包装方式:剪切带(CT)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
功率:400mW
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT3G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:900mW
导通电阻:155mΩ@1A,10V
输入电容:182pF@25V
栅极电荷:5.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5630
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@1.7A,10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:10nC@10V
功率:500mW
输入电容:400pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5690
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:27mΩ@9A,10V
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:4V@250µA
功率:3.2W€50W
连续漏极电流:30A
输入电容:1110pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86540
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:6410pF@30V
导通电阻:4.5mΩ@18A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:60V
输入电容:11130pF@30V
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
连续漏极电流:22A€93A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170LT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
导通电阻:5Ω@200mA,10V
ECCN:EAR99
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5661N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
连续漏极电流:32A€155A
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
栅极电荷:154nC@10V
输入电容:11530pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: