品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3174NZT5G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:125mW
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6301N
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:9.5pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6301N-F085P
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:9.5pF@10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6301N
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:9.5pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3174NZT5G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:125mW
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.06V@250µA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.7nC@4.5V
输入电容:9.5pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
输入电容:27pF@25V
漏源电压:50V
类型:N沟道
栅极电荷:2.4nC@10V
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:21+
规格型号(MPN):FDV301N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.06V@250µA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.7nC@4.5V
输入电容:9.5pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3170NZT5G
功率:125mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS0K8N021ZTCG
功率:125mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:12.3pF@15V
漏源电压:20V
类型:N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
输入电容:27pF@25V
漏源电压:50V
类型:N沟道
栅极电荷:2.4nC@10V
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138K
阈值电压:1.2V@250µA
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.6Ω@50mA,5V
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:50V
类型:N沟道
栅极电荷:2.4nC@10V
输入电容:58pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6301N
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:9.5pF@10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.06V@250µA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.7nC@4.5V
输入电容:9.5pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
输入电容:27pF@25V
漏源电压:50V
类型:N沟道
栅极电荷:2.4nC@10V
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
阈值电压:1.5V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3174NZT5G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:125mW
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6301N
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:9.5pF@10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.06V@250µA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.7nC@4.5V
输入电容:9.5pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS0K8N021ZTCG
功率:125mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:12.3pF@15V
漏源电压:20V
类型:N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3000,"19+":3000,"20+":51000,"21+":207295}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6301N-F085P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:21+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS0K8N021ZTCG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.3pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: