采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：1639
规格型号(MPN)：MMBF170
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR4003NT3G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
输入电容：21pF@5V
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.15nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：300mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D75Z
导通电阻：5Ω@200mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
连续漏极电流：500mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6303N
包装方式：卷带（TR）
功率：300mW
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170LT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170LT1G
导通电阻：5Ω@200mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170
导通电阻：5Ω@200mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170
导通电阻：5Ω@200mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170LT1G
导通电阻：5Ω@200mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT3G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
输入电容：21pF@5V
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
栅极电荷：1.15nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：1949}
规格型号(MPN)：BS170-D26Z
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：830mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
输入电容：21pF@5V
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
栅极电荷：1.15nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6303N
包装方式：卷带（TR）
功率：300mW
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
输入电容：21pF@5V
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
栅极电荷：1.15nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：1639
规格型号(MPN)：MMBF170
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT3G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
输入电容：21pF@5V
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
栅极电荷：1.15nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR4003NT3G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
输入电容：21pF@5V
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.15nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170
导通电阻：5Ω@200mA，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：300mW
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6303N
包装方式：卷带（TR）
功率：300mW
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D75Z
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：830mW
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170
导通电阻：5Ω@200mA，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：300mW
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：1639
规格型号(MPN)：MMBF170
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR4003NT3G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
输入电容：21pF@5V
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
栅极电荷：1.15nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D75Z
导通电阻：5Ω@200mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
连续漏极电流：500mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT3G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
输入电容：21pF@5V
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.15nC@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D27Z
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：830mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D75Z
导通电阻：5Ω@200mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
连续漏极电流：500mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D74Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
