品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC3020DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:17A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC3020DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:17A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"22+":30000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC3020DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:17A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU12N20TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8296
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12A€18A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8296
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12A€18A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:12.5A€18A
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1385pF@15V
功率:2.3W€27W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:12.5A€18A
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1385pF@15V
功率:2.3W€27W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:12.5A€18A
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1385pF@15V
功率:2.3W€27W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:12.5A€18A
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1385pF@15V
功率:2.3W€27W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"22+":30000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7692S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€27W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@15V
连续漏极电流:12.5A€18A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":370,"19+":0}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: