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    品牌: ON SEMI
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 工业
    栅极电荷: 18nC@10V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86324 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86324 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86324

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C12NTAG 起订1191个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C12NTAG 起订1191个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS4C12NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS5D0N03CTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS5D0N03CTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS5D0N03CTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1255pF@15V

    连续漏极电流:11.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF03N60ZH 起订1336个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF03N60ZH 起订1336个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":45500,"13+":33100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF03N60ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:372pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC2610 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC2610 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC2610

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:2.2A€9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订922个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订922个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS5D0N03CTAG 起订472个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS5D0N03CTAG 起订472个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2640,"21+":2549239,"23+":1443}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS5D0N03CTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1255pF@15V

    连续漏极电流:11.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU 起订345个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU 起订345个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":21000,"MI+":2000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF8N50NZU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:735pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS5D0N03CTAG 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS5D0N03CTAG 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS5D0N03CTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1255pF@15V

    连续漏极电流:11.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3512 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3512 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3512

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@40V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3512 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3512 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3512

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@40V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC2610 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC2610 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC2610

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:2.2A€9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD360N65S3R0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD360N65S3R0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD360N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3512 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3512 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3512

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@40V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD360N65S3R0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD360N65S3R0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD360N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS5D0N03CTAG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS5D0N03CTAG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS5D0N03CTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1255pF@15V

    连续漏极电流:11.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP360N65S3R0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP360N65S3R0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP360N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP360N65S3R0 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP360N65S3R0 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":338,"22+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP360N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP360N65S3R0 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP360N65S3R0 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":338,"22+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP360N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86324 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86324 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86324

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF8N50NZU 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":21000,"MI+":2000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF8N50NZU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:735pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC2610 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC2610 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC2610

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@100V

    连续漏极电流:2.2A€9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86102 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD360N65S3R0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD360N65S3R0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD360N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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