品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":42,"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4405NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6321C
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:500mA€410mA
类型:N和P沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":2917}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP75N03R
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€74.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3000,"19+":3000,"20+":51000,"21+":207295}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6301N-F085P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":828458}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4405NT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":19129,"22+":4931,"24+":3000,"9999":86,"MI+":325}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8016S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€35A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4409NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB65N02RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@20V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6304P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:62pF@10V
连续漏极电流:410mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.1Ω@410mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJS4405NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€20.8W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5690,"18+":72000,"19+":360}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@13V
连续漏极电流:23A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":11894}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB23N03RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:37.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.76nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@20V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMB3900AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@13V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2608}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2705pF@13V
连续漏极电流:22.5A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.15mΩ@22.5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6322C
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA€410mA
类型:N和P沟道
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":3372}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD23N03R-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W€22.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.76nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:225pF@20V
连续漏极电流:3.8A€17.1A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2872,"22+":956,"23+":2773}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7570S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€59W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4410pF@13V
连续漏极电流:27A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@27A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":8250}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB23N03R
工作温度:-55℃~150℃
功率:37.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.76nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:225pF@20V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2144,"21+":5417,"22+":5616}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8014S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€41A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8016S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
连续漏极电流:20A€35A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVS4409NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:21+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: