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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA€880mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA€880mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA€880mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA€880mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8928A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5.5A€4A
类型：N和P沟道
导通电阻：30mΩ@5.5A，4.5V
漏源电压：30V€20V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA€880mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4501H
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1958pF@10V
连续漏极电流：9.3A€5.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：18mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA€880mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8928A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5.5A€4A
类型：N和P沟道
导通电阻：30mΩ@5.5A，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA€880mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA€880mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
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类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
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导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA€880mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA€880mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4501H
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1958pF@10V
连续漏极电流：9.3A€5.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：18mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4501H
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1958pF@10V
连续漏极电流：9.3A€5.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：18mΩ@9.3A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA€880mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA€880mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4501H
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1958pF@10V
连续漏极电流：9.3A€5.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：18mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4501H
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1958pF@10V
连续漏极电流：9.3A€5.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：18mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA€880mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4501H
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1958pF@10V
连续漏极电流：9.3A€5.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：18mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8928A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5.5A€4A
类型：N和P沟道
导通电阻：30mΩ@5.5A，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：250mA€880mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：2500}
规格型号(MPN)：FDS8928A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5.5A€4A
功率：900mW
漏源电压：30V€20V
导通电阻：30mΩ@5.5A，4.5V
类型：N和P沟道
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：900pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA€880mA
漏源电压：30V€20V
类型：N和P沟道
输入电容：33pF@5V
ECCN：EAR99
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4158CT1G
功率：270mW
阈值电压：1.5V@100µA
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA€880mA
漏源电压：30V€20V
导通电阻：1.5Ω@10mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4501H
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.3A€5.6A
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：30V€20V
类型：N和P沟道
导通电阻：18mΩ@9.3A，10V
输入电容：1958pF@10V
功率：1W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8928A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5.5A€4A
类型：N和P沟道
导通电阻：30mΩ@5.5A，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
