品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1540pF@16V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF2N02ELT1G
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
输入电容:150pF@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:3.5nC@4V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":28246}
规格型号(MPN):NTUD3171PZT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
输入电容:13.5pF@15V
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1024NZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@5A,4.5V
输入电容:500pF@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"07+":22847,"MI+":8000}
规格型号(MPN):NTUD3129PT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:140mA
功率:125mW
输入电容:12pF@15V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.2A
输入电容:300pF@10V
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT2G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
连续漏极电流:540mA€430mA
输入电容:150pF@16V
类型:N和P沟道
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1034CZT
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.8A€2.6A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":2500}
规格型号(MPN):FDS8928A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5.5A€4A
功率:900mW
漏源电压:30V€20V
导通电阻:30mΩ@5.5A,4.5V
类型:N和P沟道
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:900pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":20000}
规格型号(MPN):FDME1023PZT
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:142mΩ@2.3A,4.5V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:405pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME510PZT
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:37mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
输入电容:1490pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:22nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"07+":7323,"08+":1037,"20+":24000,"22+":448000}
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
连续漏极电流:860mA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:458pF@16V
漏源电压:20V
功率:170mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":67862}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD1155LT1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
类型:N和P沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:1.3A
漏源电压:8V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME820NZT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:865pF@10V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:9A
导通电阻:18mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
输入电容:950pF@10V
栅极电荷:12.3nC@4.5V
导通电阻:62mΩ@4A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA€200mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF6P02T3G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
功率:8.3W
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:1200pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTWG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:28nC@4.5V
输入电容:2240pF@15V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
连续漏极电流:860mA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:458pF@16V
漏源电压:20V
功率:170mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A65PZT5G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:44pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:155mW
连续漏极电流:281mA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:1.3Ω@200mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:5nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTND31015NZTAG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:125mW
连续漏极电流:200mA
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:12.3pF@15V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.8A
功率:500mW
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA€200mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2376,"15+":1974,"16+":1480,"18+":88348,"19+":206928}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3A65PZT5G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:44pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:155mW
连续漏极电流:281mA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:1.3Ω@200mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
功率:960mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1173pF@4V
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
漏源电压:8V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNUS3171PZT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:13pF@15V
漏源电压:20V
导通电阻:3.5Ω@100mA,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF6P02T3G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
功率:8.3W
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:1200pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存: