品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":7085,"09+":2310,"10+":2500,"11+":31427}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4884NFR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":59502}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4917NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:880mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1054pF@25V
连续漏极电流:7.1A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":14194,"08+":50,"09+":822}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4108NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€96.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1376pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5315pF@15V
连续漏极电流:28A€116A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":5000,"08+":15230,"10+":47314}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS3P03R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@24V
连续漏极电流:2.34A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4939NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":37500,"04+":2399,"08+":4610,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS3P03R2
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@24V
连续漏极电流:2.34A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8820
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5315pF@15V
连续漏极电流:28A€116A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":39610,"10+":16500,"11+":3000,"12+":24000,"18+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4851NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:870mW€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@12V
连续漏极电流:9.5A€66A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2586,"14+":1694}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4802NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:910mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@25V
连续漏极电流:11.1A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":144321,"09+":3000,"10+":3000,"11+":574500,"MI+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4839NHT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:870mW€42.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.5nC@11.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2354pF@12V
连续漏极电流:9.5A€64A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":55000,"10+":140860}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4935NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3639pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4915}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMD6N03R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.29W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8984
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":848,"22+":2375}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8876
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@15V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@12.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":45000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4937NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2563pF@25V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":4485,"09+":750,"11+":25000,"12+":20000,"13+":16051}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4873NFR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:870mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:7.1A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":4433,"07+":49500,"08+":1500,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@24V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":60000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4119NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@24V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@29A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4177PR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@24V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@11.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":284431,"11+":2622,"12+":12500,"16+":144}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4801NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2201pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":1000,"08+":149685,"09+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4744NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:880mW€47.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@12V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD3P03R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@24V
连续漏极电流:2.34A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":325000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4835NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@11.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12V
连续漏极电流:13A€130A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":55000,"10+":140860}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4935NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3639pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN352AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@1.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":67500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4849NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:870mW€42.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@12V
连续漏极电流:10.2A€71A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":59610,"07+":207000,"08+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4839NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:870mW€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1588pF@12V
连续漏极电流:9.5A€64A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: