采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
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功率：57W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：20，"18+"：20，"21+"：1027，"22+"：3204，"23+"：11315，"24+"：15000，"MI+"：5915}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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功率：57W
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栅极电荷：41nC@10V
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输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€92.6W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@40V
连续漏极电流：14A€84A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FDMS007N08LC
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功率：2.5W€92.6W
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连续漏极电流：14A€84A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
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连续漏极电流：14A€84A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
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输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
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漏源电压：80V
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功率：2.5W€92.6W
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栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@40V
连续漏极电流：14A€84A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
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连续漏极电流：14A€84A
类型：N沟道
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输入电容：3100pF@40V
连续漏极电流：14A€84A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€92.6W
阈值电压：2.5V@120µA
栅极电荷：46nC@10V
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输入电容：3100pF@40V
连续漏极电流：14A€84A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
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功率：2.5W€92.6W
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栅极电荷：46nC@10V
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输入电容：3100pF@40V
连续漏极电流：14A€84A
类型：N沟道
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栅极电荷：46nC@10V
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连续漏极电流：14A€84A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：20，"18+"：20，"21+"：1027，"22+"：3204，"23+"：11315，"24+"：15000，"MI+"：5915}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€92.6W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@40V
连续漏极电流：14A€84A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€92.6W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
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连续漏极电流：14A€84A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@21A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€92.6W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@40V
连续漏极电流：14A€84A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：20，"18+"：20，"21+"：1027，"22+"：3204，"23+"：11315，"24+"：15000，"MI+"：5915}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€92.6W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：14A€84A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€92.6W
阈值电压：2.5V@120µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@40V
连续漏极电流：14A€84A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：20，"18+"：20，"21+"：1027，"22+"：3204，"23+"：11315，"24+"：15000，"MI+"：5915}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€92.6W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@40V
连续漏极电流：14A€84A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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