品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
连续漏极电流:14A€84A
功率:2.5W€92.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2.5V@120µA
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
输入电容:3100pF@40V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
连续漏极电流:14A€84A
功率:2.5W€92.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2.5V@120µA
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
输入电容:3100pF@40V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
连续漏极电流:14A€84A
功率:2.5W€92.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2.5V@120µA
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
输入电容:3100pF@40V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
连续漏极电流:14A€84A
功率:2.5W€92.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2.5V@120µA
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
输入电容:3100pF@40V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: